Сведения об образовательной организации
Сведения о доходах, об имуществе и обязательствах имущественного характера руководителя и членов его семьи

Сотрудники кафедры «Промышленная электроника» приняли участие в Летнем семинаре «Нанооптика, фотоника и когерентная спектроскопия – 2023» 12-14 июля

17.07.2023

Сотрудники кафедры «Промышленная электроника» проф. Голенищев-Кутузов А.В., проф. Уланов В.А., доц. Зайнуллин Р.Р., доц. Иванов Д.А. приняли участие в Летнем семинаре «Нанооптика, фотоника и когерентная спектроскопия – 2023» 12-14 июля на базе Казанского физико-технического института им. Е.К. Завойского - обособленного структурного подразделения Федерального государственного бюджетного учреждения науки «Федеральный исследовательский центр «Казанский научный центр Российской академии наук».

Сотрудники кафедры «Промышленная электроника» приняли участие в Летнем семинаре «Нанооптика, фотоника и когерентная спектроскопия – 2023» 12-14 июля

 

Научный семинар «Нанооптика, фотоника и когерентная спектроскопия – 2023» проходил 12-14 июля 2023 г. в г. Казань на базе Казанского физико-технического института им. Е.К. Завойского - обособленного структурного подразделения Федерального государственного бюджетного учреждения науки «Федеральный исследовательский центр «Казанский научный центр Российской академии наук».

Семинар организуется ежегодно Межинститутской научной группой по лазерной селективной спектроскопии и наноскопии в сотрудничестве с ФИЦ «Казанский научный центр Российской академии наук». В этом году Семинар посвящается памяти профессора Михаила Борисовича Белоненко.

С докладами выступили сотрудники кафедры – проф. Голенищев-Кутузов А.В., проф. Уланов В.А., доц. Зайнуллин Р.Р., доц. Иванов Д.А.:

- В.А. Голенищев-Кутузов, А.В. Голенищев-Кутузов, А.В. Семенников, Р.И. Калимуллин, Д.А. Иванов, Диагностика и анализ наиболее опасных дефектов высоковольтных изоляторов по характеристикам частичных разрядов.

- В.А. Уланов, Р.Р. Зайнуллин, И.В. Яцык, А. Шестаков, И.И. Фазлижанов, Изменение кинетических характеристик свободных носителей заряда в узкозонном полупроводнике Pb1-xGdxTe под влиянием процессов электронного спинового резонанса ионов Gd3+.

- Р.Р. Зайнуллин, А.М. Синицин, А.А. Потапов, В.А. Уланов, Нерезонансное поглощение мощности электромагнитной волны Х-диапазона в узкозонном полупроводнике при температурах 2.6 – 8 К в диапазоне магнитных полей 0 – 100 мТл.

 



Просмотров: 317